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J-GLOBAL ID:200903043707434275

太陽電池素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998118239
Publication number (International publication number):1999312814
Application date: Apr. 28, 1998
Publication date: Nov. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 基板中で発生したキャリアが入射面側に移動することを防止し、キャリアの再結合損失を低減させて光電変換効率を向上できる太陽電池素子を提供する。【解決手段】 基板10の光入射面側には絶縁膜12が形成され、裏面側には基板10よりも不純物濃度の高いp+層14とn+層16とがそれぞれ独立して形成され、絶縁膜12を介してそれぞれ正極18及び負極20が接続されている。基板10と表面側の絶縁膜12との間には、基板10よりも不純物濃度の高い拡散層22が設けられている。これにより、基板10と拡散層22との間にポテンシャル差が生じ、基板10で発生した少数キャリアは基板10と絶縁膜12との界面方向へ移動せず、再結合損失を抑制できる。これにより、光電変換効率を向上させることができる。
Claim (excerpt):
正負の電極が基板の裏面に設けられた太陽電池素子であって、前記基板の光入射面側に前記基板より不純物濃度が高い拡散層を有することを特徴とする太陽電池素子。

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