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J-GLOBAL ID：200903043710098324

半導体基板

Inventor： 末岡 浩治
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994136805
Publication number (International publication number)：1996008263
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【構成】 10×1017個/cm3 の酸素濃度を有するとともに、裏面10bから基板の略1/2の厚みまでの領域10cに、1×1017個/cm3 の濃度の炭素を含有している半導体基板。【効果】 酸素含有量が少ないため、高温熱処理を施すことなく、表面10aから半導体基板10の厚みtの略1/2までの領域にDZ層を形成することができ、ピットの発生や酸化膜の耐圧不良の発生を防止することができる。一方、所定濃度のC含有領域に自由体積を形成することができ、酸素濃度が少なくても酸素析出反応を進行させることができる。このため、LSI製造時に行われる約1000°Cで16時間程度の熱処理の際、同時に裏面10bから半導体基板10の厚みtの略1/2までの領域に酸素析出物を形成することができ、微小欠陥を発生させてIG層を形成することができる。したがって、Feにより半導体基板10が汚染された場合でもFeをこのIG層に吸着させることができ、積層欠陥の発生を防止することができ、この結果、積層欠陥に伴うリーク電流の増大を防止することができる。

Claim (excerpt)：

酸素濃度が5×1017〜15×1017個/cm3 である半導体基板であって、該半導体基板の裏面から2/3の厚み以下の範囲に、1017〜1018個/cm3 の濃度の炭素を含有していることを特徴とする半導体基板。