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J-GLOBAL ID：200903043735435694

半導体ウェーハの滑り度測定方法およびその装置

Inventor： 遠藤 秀行 ,  安田 弘 ,  森田 悦郎
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000105932
Publication number (International publication number)：2001289773
Application date： Apr. 07, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの滑り度を正確に測定する半導体ウェーハの滑り度測定方法およびその装置を提供する。【解決手段】 0.21atmの減圧下で、半導体ウェーハの滑り度測定装置10の滑り度測定台11を徐々に傾斜させて、滑り度測定台11のウェーハ載置面11a上に載置されたシリコンウェーハWの滑りだしの傾斜角度を測定する。これにより、シリコンウェーハWとウェーハ載置面11aとの間に、抵抗となる空気が介在されず、その結果、正確にシリコンウェーハWの滑り度を測定することができる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの滑り度を測定する滑り度測定台の平坦なウェーハ載置面に半導体ウェーハを載置する工程と、その後、減圧下で、前記滑り度測定台を徐々に傾斜させることで、そのウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの滑りだしの傾斜角度を測定する工程とを備えた半導体ウェーハの滑り度測定方法。

IPC (3)：

G01N 19/02 ,  G01L 5/00 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01N 19/02 Z ,  G01L 5/00 G ,  H01L 21/66 L

F-Term (11)：

2F051AA21 ,  2F051AB01 ,  2F051AC01 ,  2F051BA00 ,  4M106AA01 ,  4M106CA24 ,  4M106CA52 ,  4M106DH08 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ05 ,  4M106DJ32