Pat

J-GLOBAL ID：200903043742839431

炭化けい素nチャネルMOS半導体素子およびその製造方法

Inventor： 上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282202
Publication number (International publication number)：2000150866
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】SiCのnチャネルMOS半導体素子において、反転層の移動度を向上させて、オン抵抗が低く、しかも製造の容易なMOS半導体素子を提供する。【解決手段】ゲート酸化膜45直下のpベース領域42の表面層に、実効的なアクセプタ濃度が1×10<SP>13</SP>〜1×10<SP>16</SP>cm<SP>-3</SP>と内部より低濃度のp<SP>- </SP>チャネル領域50を設ける。p<SP>- </SP>チャネル領域の形成方法としては、表面付近の注入量を減らした多重注入法、pベース領域へのドナー不純物の注入による補償法、エピタキシャル成長による方法等がある。pベース領域へのドナー不純物の注入による場合は、ドナー不純物のドーズ量xを1×10<SP>11</SP>cm<SP>-3</SP><x<5Q<SB>B </SB>/qQ<SB>B </SB>=(4ε<SB>0 </SB>ε<SB>S </SB>Φ<SB>B </SB>N<SB>A </SB>)<SP>1/2</SP>とする。

Claim (excerpt)：

炭化けい素からなるpベース領域、n+ ソース領域、n+ ドレイン領域と、pベース領域の表面に形成されたゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、電流を流す二つの主電極とを有し、前記ゲート電極に正電圧を印加してゲート絶縁膜の下方のpベース領域の表面層に誘起された反転層の電子濃度を制御することにより主電極間の電流を制御する炭化けい素nチャネルMOS半導体素子において、pベース領域とゲート絶縁膜との界面近傍において実効的なアクセプタ濃度が1×1013〜1×1016cm-3の範囲にあることを特徴とする炭化けい素nチャネルMOS半導体素子。

F-Term (6)：

5F040DA22 ,  5F040DC02 ,  5F040EB13 ,  5F040EC10 ,  5F040EH02 ,  5F040FC14