Pat

J-GLOBAL ID：200903043743615693

シリコン中の不純物分析方法

Inventor： エム・ビ-・シャバニ- ,  奥内 茂 ,  吉見 年弘
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995315939
Publication number (International publication number)：1998307087
Application date： Nov. 08, 1995
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコンまたはSiO2中の不純物金属のAAS分析では、溶解液中のシリコンにより検出下限が悪化する。TXRFは使用できない。【解決手段】 HF溶液またはHF/HNO3溶液でシリコンウェーハの表面を所定量エッチングする。エッチング後の回収液に少量のH2SO4を添加する。エッチング溶解液はビーカに入れ、加熱し、水分を蒸発させ、残留固形物としてH2SiO3を析出させる。析出物に少量のHNO3を加えて溶解する。溶解液を、清浄なシリコンウェーハ上に滴下し、シリコン残留物(H2SiO3)がなくなるまで300〜500°Cで30分間加熱する。不純物のみを固化して残す。TXRFでは、そのまま測定・分析できる。AASでは、シリコンチップ上に溶解液を滴下後、加熱し、少量のHNO3を滴下して分析する。容易に残留シリコンを除去できる。

Claim (excerpt)：

HF溶液またはHF/HNO3溶液を用いてシリコンまたはシリコン化合物をエッチングするエッチング工程と、エッチング後の溶液を回収し、この回収液に少量のH2SO4を添加する添加工程と、この回収液から水分を蒸発させ、H2SiO3を析出させる析出工程と、析出したH2SiO3を溶解する溶解工程と、この溶解液を300〜500°Cで加熱し、H2SiO3を蒸発させる加熱工程と、その残留物を分析する分析工程とを、備えたシリコン中の不純物分析方法。

IPC (3)：

G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  G01N 23/223

FI (3)：

G01N 1/28 X ,  G01N 1/32 B ,  G01N 23/223