半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996247557
Publication number (International publication number)：1998093077
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】ゲート酸化膜の膜厚増加に起因してMOSFETにおけるゲート容量が減少し、MOSFET特性が低下するのを防止した半導体装置とその製造方法、および不純物の相互拡散を防止してゲート電極の仕事関数が変化することによりVthが変動したり、コンタクト抵抗やシート抵抗が増大するといった不都合が生じるのを防止した半導体装置とその製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 N+ 型ポリシリコンを用いたタングステンポリサイド構造のゲート電極20を備えた半導体装置である。N+ 型ポリシリコン層が2層構造に形成されており、これら2層のうちの少なくとも1層が大粒径ポリシリコンで形成されている。大粒径ポリシリコンの形成は、CVD法により堆積温度550°C以下でアモルファスシリコン16を堆積し、このアモルファスシリコン16を800°C以下の温度で1時間以上アニールすることによって行う。

Claim (excerpt)：

N+ 型ポリシリコンを用いたタングステンポリサイド構造のゲート電極を備えた半導体装置において、N+ 型ポリシリコン層が2層構造に形成されてなり、これら2層のうちの少なくとも1層が大粒径ポリシリコンで形成されてなることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116055 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体素子のゲート電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-281936 Applicant：現代電子産業株式会社
特開平1-189938

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