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J-GLOBAL ID：200903043747869452

薄膜の形成方法

Inventor： 豊田 啓 ,  蓮沼 正彦 ,  金子 尚史 ,  梶田 明広
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105768
Publication number (International publication number)：1993283411
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、結晶配向性が良好でストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションに対する耐性の高い配線形成が可能で、かつ表面平滑性の優れた薄膜の形成方法を提供しようとするものである。【構成】半導体基板12上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に導電材料を所望の間隔をおいて断続的に蒸着する工程とを具備したことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に導電体薄膜を形成する薄膜の形成方法において、前記導電体薄膜の成膜を不連続に行うことを特徴とする薄膜の形成方法。

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 B