Pat

J-GLOBAL ID：200903043750676606

半導体装置の研磨方法及び研磨装置

Inventor： 伊藤 和典
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994287278
Publication number (International publication number)：1996124886
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 配線を形成する際にウエハ表面に生じる凹凸を平坦にする。【構成】 まず、金属用研磨液を用いて金属膜15を研磨し、回転トルク信号が徐々に増大してきて基準信号レベルに達したときに研磨液の供給を金属用研磨液から中性研磨液に切り換える。中性研磨液では金属膜15と絶縁膜13が同程度の研磨速度で研磨される。中性研磨液による研磨は回転トルクが平衡状態になるまで続ける。回転トルクが平衡状態の一定値になると、研磨液の供給を中性研磨液から絶縁膜用アルカリ性研磨液に切り換え、絶縁膜13の研磨を一定時間行なう。

Claim (excerpt)：

基板ウエハ上を被う絶縁膜を形成し、その絶縁膜には下層の接続を施す領域の所定の位置に上層配線との接続孔をあけ、その接続孔から前記絶縁膜上にわたって接続孔埋込み用の金属膜を形成した後、その基板ウエハの表面と研磨パッドとの間を荷重をかけて接触させ、両者間に研磨液を供給しながら基板ウエハと研磨パッドの少なくとも一方を一定速度で回転させて基板ウエハの表面を平坦にする研磨方法において、初めに研磨液を金属用研磨液とし、基板ウエハ又は研磨パッドの回転トルクが所定のレベルに達するまで研磨を続けた後、研磨液を化学反応性添加物が含まれていない中性研磨液に切り換え、回転トルクの上昇が停止するまで研磨を続けることを特徴とする研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3205