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J-GLOBAL ID：200903043761280364

コンビナトリアル薄膜形成方法及びコンビナトリアルプラズマCVD装置

Inventor： 鯉沼 秀臣
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000146409
Publication number (International publication number)：2001329366
Application date： May. 18, 2000
Publication date： Nov. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 極めて効率よく、素子構造の最適化を実現し得るコンビナトリアル薄膜形成方法およびこの方法を使用するコンビナトリアルプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 基板表面に物質を堆積させて薄膜を形成する際に、成膜すべき基板2に固定マスク5を密着させて複数の成膜領域を設定し、固定マスク5に対して可動マスク6を移動させ、可動マスク6によって選択される成膜領域ごとに成膜の成分や反応条件を変えて薄膜を形成する。可動マスク6は、直線移動し、固定マスク5が回転することによって可動マスク6の固定マスク5に対する移動方向が変更可能である。固定マスク5は方形状、直方形状、円形状等にマトリックス配列した複数の開口部を有し、可動マスク6はその行または列に沿って順次移動する。

Claim (excerpt)：

基板表面に物質を堆積して形成する薄膜形成方法であって、固定マスクを成膜する基板に密着させて複数の成膜領域を形成し、この固定マスクを覆って可動マスクを配置し、この可動マスクを上記固定マスクに対して移動させることによって選択される上記成膜領域ごとに、成膜条件または膜組成を変えて薄膜を形成することを特徴とするコンビナトリアル薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/04 ZCC ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C23C 16/04 ZCC ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 B

F-Term (33)：

4K030BA30 ,  4K030BB14 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030FA01 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AF07 ,  5F045CA15 ,  5F045DA52 ,  5F045DB01 ,  5F045DB06 ,  5F045DP28 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB13 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA40 ,  5F051DA02 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03