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J-GLOBAL ID：200903043770698592

発光ダイオード用エピタキシャルウェーハの検査方法

Inventor： 海野 恒弘
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087188
Publication number (International publication number)：1993291624
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】非接触でLED用エピウェーハの応答速度を求める方法の提供。【構成】LED用エピウェーハの活性層を光により励起し、励起されたキャリアーの消滅にともなうフォトルミネッセンス光の強度の時間変化を測定することにより、非接触でエピウェーハのLEDにした場合の応答速度を求める。

Claim (excerpt)：

発光ダイオード(以下LEDと略す)用エピタキシャル(以下エピと略す)ウェーハの活性層より表面側に成長させたウィンドウ層のバンドギャップエネルギーより小さく、活性層のバンドギャップエネルギーより大きなエネルギーの光をエピウェーハ表面に入射させ、活性層より放出されたフォトルミネッセンス光の時間変化を測定することにより、LEDの応答速度を求めることを特徴とするLED用エピウェーハの検査方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  G01N 21/63 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-250835
  
• 特開昭58-057764
  
• 特開昭56-147444