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J-GLOBAL ID：200903043772759980

複合型薄膜ヘツド

Inventor： 陶山 英夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991165942
Publication number (International publication number)：1993012629
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 MR/Ind複合型の薄膜ヘッドにおいて、再生出力の変動を抑制し、再生出力の向上をはかる。【構成】 磁気抵抗効果(MR)素子1を有して成る薄膜磁気抵抗効果型再生ヘッドと、誘導型薄膜記録ヘッドとの積層構造による複合型薄膜ヘッドにおいて、薄膜磁気抵抗効果型再生ヘッドの一点鎖線mで示すトラックの中心と、誘導型薄膜記録ヘッドの一点鎖線iで示すトラックの中心とをずらして構成し、この中心をずらす方向を、複合型薄膜ヘッドを搭載するスライダーのレール方向が記録媒体の記録トラック方向と最も大きく角度を有する方向に対応させる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果素子を有して成る薄膜磁気抵抗効果型再生ヘッドと、誘導型薄膜記録ヘッドとの積層構造による複合型薄膜ヘッドにおいて、上記薄膜磁気抵抗効果型再生ヘッドのトラックの中心と、上記誘導型薄膜記録ヘッドのトラックの中心とがずらして構成され、上記中心をずらす方向が、上記複合型薄膜ヘッドを搭載するスライダーのレール方向が記録媒体の記録トラック方向と最も大きく角度を有する方向に対応して成ることを特徴とする複合型薄膜ヘッド。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-154369   Applicant：株式会社日立製作所