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J-GLOBAL ID：200903043776636432

ダイヤモンド合成方法

Inventor： 太田 進啓 ,  藤森 直治 ,  渡辺 賢一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992182617
Publication number (International publication number)：1994024896
Application date： Jul. 09, 1992
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 より低温において、基材における任意の領域へ選択的に高品質のダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド合成方法を提供する。【構成】 炭素原子を含む化合物が水素ガスで希釈された原料ガスを用いる。この原料ガスに、1×10-2mrad〜5×10-1mradの広がり角度または1×10-4nm〜1×10-1nmの発振波長に関する半価幅を満足する、波長が190nm〜360nmのレーザ光を照射する。この照射により生成された化学種を基材上に堆積させる。

Claim (excerpt)：

炭素原子を含む化合物が水素ガスで希釈された原料ガスを用いて、気相より基材上にダイヤモンドを合成する方法であって、1×10-2mrad以上5×10-1mrad以下の範囲にある発振時の広がり角度および1×10-4nm以上1×10-1nm以下の範囲にある発振波長のバンド幅に関する半価幅の少なくともいずれかを満足し、波長が190nmから360nmの範囲にあるレーザ光を前記原料ガス中または前記基材上に照射することにより、前記化合物および前記水素ガスを分解させることを特徴とする、ダイヤモンド合成方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/02