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J-GLOBAL ID:200903043781570768

エレクトロルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994295856
Publication number (International publication number):1996138867
Application date: Nov. 04, 1994
Publication date: May. 31, 1996
Summary:
【要約】【目的】発光層中に添加しやすい、発光層の母体材料構成元素と同族の元素を添加することによって、発光層中の電子濃度を増大させ、EL素子の発光輝度を向上させること。【構成】II-VI族化合物を母体材料とし、発光中心元素を添加したEL素子100 の発光層14中に、母体材料のII族元素とイオン半径の異なる第二のII族元素を添加する。その添加量の比、(発光層中の発光中心元素の添加量)/( 発光層に添加するイオン半径の異なるII族元素の添加量)を0.05以上40以下とする。それで、発光層14に対して電界を印加すると、等電子トラップから伝導帯に電子が放出されるため、発光層14中の電子濃度が著しく高くなる。すると加速された電子による発光中心の励起効率が向上するため、EL素子の発光輝度、発光効率を大幅に向上させることができる。
Claim (excerpt):
少なくとも光の取り出し側の材料を光学的に透明なもので積層したエレクトロルミネッセンス素子であって、II-VI族化合物を母体材料とし、発光中心元素を添加した発光層中に、前記母体材料を構成しているII族元素とイオン半径の異なる第二のII族元素を添加し、発光層中の発光中心元素の添加量Da と、前記発光層に添加する前記第二のII族元素の添加量Db との比、【数 1】Da / Db が、0.05以上40以下であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2):
H05B 33/14 ,  H05B 33/10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
  • 特開平4-121992
  • 特開平1-206594
  • 特開昭64-027194
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