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J-GLOBAL ID：200903043781592699

飽和性吸収体を備えた半導体レーザ

Inventor： ジヨエル・ジヤツケ ,  ドウニ・ルクレルク ,  ジヤン-ルイ・リーバン ,  デイデイエ・シゴーニユ
Applicant, Patent owner： アルカテル・エヌ・ブイ
Agent (1)： 川口 義雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041708
Publication number (International publication number)：1993082902
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】飽和性吸収体を有する半導体レーザを提供する。【構成】本発明のレーザにおいては、光導波路の連続する2つのセクションが光増幅器(S1)及び飽和性吸収体(S2)を構成する。本発明によれば、該導波路の受動セクション(S3)が該導波路に後続している。本発明は特に、光信号処理に使用される。

Claim (excerpt)：

連続する3つのセクションが光増幅器と飽和性吸収体と受動セクションとを構成している光導波路を含み、且つ吸光度制御電流が前記吸収体を通るように配置された電極を含む半導体レーザであって、前記電極が前記受動セクションの少なくとも一部に延びていることを特徴とする飽和性吸収体を備えた半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-202581
  
• 特開平2-267988
  
• 特開平1-316985