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J-GLOBAL ID：200903043791665929
量子効果型電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991182130
Publication number (International publication number)：1993029616
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 量子効果型電界効果トランジスタを高速で抵消費電力の集積回路を容易に製作し、動作させる。【構成】 禁止帯幅3eV以上の半導体のp-n接合に流れるトンネル電流をゲート絶縁膜4を介して設けられたゲート電極5からの電界によりトランジスタ動作させる。
Claim (excerpt)：
GaN,BN,BP,SiC,ZnO,ZnS,ダイアモンド及びTiO2 等の酸化物半導体等の禁止帯幅が3eV以上の半導体表面にはp-n接合部が終端を有して形成され、該p-n接合部の終端部表面にはゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜上にはゲート電極が形成されて、MIS型FETが形成されて成る事を特徴とする量子効果型電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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