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J-GLOBAL ID：200903043794382316
ダイヤモンド多層配線基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991193794
Publication number (International publication number)：1993036847
Application date： Aug. 02, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 多層配線基板の製造方法に関し、基板上にダイヤモンド膜を層形成して製造することを目的とする。【構成】 基板上に形成した第1のダイヤモンド膜にエネルギービームを選択的に照射して加熱し、この照射位置のダイヤモンド膜の表面を相変化させてグラファイトとして第1の配線パターンを形成する工程と、この第1の配線パターンを形成した第1のダイヤモンド膜上に再びダイヤモンド膜を被覆し、エネルギービームを照射してこの第2のダイヤモンド膜の表面を相変化させてグラファイトからなる第2の配線パターンを形成する工程と、この第2の配線パターンの特定の位置を照射して第2のダイヤモンド膜の総てを相変化させてバイヤホールを形成する工程と、グラファイトに相変化させたダイヤモンド膜の全面に金属膜を形成した後、機械的な手段によりグラファイト位置のみを除いて金属膜を除去し、金属よりなる配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴としてダイヤモンド多層配線基板の製造方法を構成する。
Claim (excerpt)：
基板上に形成した第1のダイヤモンド膜にエネルギービームを選択照射して加熱し、該照射位置のダイヤモンド膜の表面を相変化させてグラファイトとし、第1の配線パターンを形成する工程と、該第1の配線パターンを形成した第1のダイヤモンド膜上に再び第2のダイヤモンド膜を形成し、エネルギービームを選択照射して該第2のダイヤモンド膜の表面を相変化させてグラファイトからなる第2の配線パターンを形成する工程と、該第2の配線パターンの特定の位置を照射して第2のダイヤモンド膜の総てを相変化させてバイヤホールを形成する工程と、グラファイトに相変化させたダイヤモンド膜の全面に金属膜を形成した後、機械的な手段によりグラファイト位置のみを除いて前記金属膜を除去し、金属よりなる配線パターンを形成する工程と、を少なくとも含むことを特徴とするダイヤモンド多層配線基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/90
, H05K 3/46
, H05K 3/40
