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J-GLOBAL ID：200903043796508716

半導体プロセスガスの供給方法

Inventor： 羽坂 智 ,  星 朝秋 ,  相田 智之 ,  河野 靖彦
Applicant, Patent owner： 日本酸素株式会社
Agent (1)： 木戸 一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000263093
Publication number (International publication number)：2002071093
Application date： Aug. 31, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来廃棄処分されていた残ガスを有効利用するとともに、合理的な消費量を算定できる半導体プロセスガスの供給方法を提供する。【解決手段】消費先からの返却容器への半導体プロセスガスの再充填を、増充填によって行なう。この増充填は、返却容器内の残ガス中の不純物濃度が、消費先から要求される許容濃度以下の場合、もしくは、返却容器内の残ガス中の不純物濃度が、消費先から要求される許容濃度を超える場合で、かつ増充填することによって前記許容濃度以下となることが予測されるときに行う。

Claim (excerpt)：

不純物濃度の許容上限が厳しく管理されなければならないガスを、消費先からの返却容器に再充填して供給する方法において、前記ガスが半導体プロセスガスであるときに、前記返却容器への再充填を、増充填によって行なうことを特徴とする半導体プロセスガスの供給方法。

IPC (3)：

F17C 5/06 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3)：

F17C 5/06 ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/205

F-Term (11)：

3E072AA01 ,  3E072CA03 ,  3E072DA05 ,  4K030AA00 ,  4K030EA01 ,  4K030EA12 ,  4K030EA14 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045EG09 ,  5F045GB11