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J-GLOBAL ID：200903043797606509

半導体の液晶解析方法

Inventor： 安池 則之
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991172881
Publication number (International publication number)：1993021576
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】微小リークの検出感度のアップが図れる半導体の液晶解析方法を提供するにある。【構成】透明電極12は、表面両側に段差12aを設けて断面凸状に形成したガラス製透明板11からなり、凸状の表面は透明導電材料であるITOフィルム13で覆われている。半導体試料4は表面に液晶5を塗布して、偏光顕微鏡3のスタンド上に載置される。透明電極12は両側段差12aが下側となるように向けた状態で、偏光顕微鏡3のスタンド上の半導体試料4の表面に塗布した液晶5上に載置して半導体試料4と対峙させる。このとき上記両側段差12aが半導体試料4のボンディングワイヤーからなる両側のプローブ6の逃げとなる。安定化電源部15は電圧を半導体試料4と透明電極12にケーブル9を介して接続してバイアス回路を構成する。

Claim (excerpt)：

ガラス等の透明板よりなり、段差若しくは切欠等の凹凸を加工形成し、表面には導電性透明フィルムで覆った透明電極を用い、上記凹凸により半導体試料のボンディングワイヤーを逃がしながら該透明電極を、液晶を塗布した半導体試料に対峙させ、この対峙状態で透明電極と半導体試料との間に外部電源を接続して液晶の向きを一定方向に揃えるようにバイアスを与え、この状態で半導体試料を動作状態とすることを特徴とする半導体の液晶解析方法。