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J-GLOBAL ID：200903043805361162

反射鏡、半導体レーザ、反射鏡の形成方法および半導体レーザの製造方法

Inventor： 金子 泰久
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998251556
Publication number (International publication number)：2000091701
Application date： Sep. 04, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 特に、反射率を高くし低格子欠陥を少なくし、かつ反射鏡の全層数を少なくできる反射鏡形成技術、および半導体レーザの低閾値化、低製造コスト化、長寿命化を実現できる半導体レーザ製造技術を提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザの反射鏡は、低屈折率の半導体層(AlN低屈折率層211)と、高屈折率の半導体層(GaN高屈折率層212)とが、交互に積層されてなる、全層数が4以上の、半導体レーザの反射鏡において、低屈折率の半導体層、高屈折率の半導体層の何れか一方が、低温成長により形成され、他方が高温成長により形成されたこと、または、低屈折率の半導体層が低温成長により形成され、高屈折率の半導体層のうち一部の層が高温成長により形成され、残りの層が低温成長により形成されたこと、を特徴とする。

Claim (excerpt)：

低屈折率の半導体層と、高屈折率の半導体層とが、交互に積層されてなる、全層数が4以上の、半導体レーザの反射鏡において、低屈折率の半導体層、高屈折率の半導体層の何れか一方が、低温成長により形成され、他方が高温成長により形成されたこと、または、低屈折率の半導体層が低温成長により形成され、高屈折率の半導体層のうち一部の層が高温成長により形成され、残りの層が低温成長により形成されたこと、を特徴とする半導体レーザの反射鏡。

F-Term (8)：

5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA14 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28