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J-GLOBAL ID：200903043807882860

固体高分子電解質膜上に触媒電極を形成する方法

Inventor： 三宅 明子 ,  前背戸 智晴 ,  多井 勉 ,  植村 賢介 ,  バレリー パブロビッチ クリホボコフ
Applicant, Patent owner： 神鋼パンテツク株式会社
Agent (1)： 角田 嘉宏 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998086283
Publication number (International publication number)：1999279784
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 成膜時間が短く、低温処理が可能で、処理作業が容易であり、処理に伴う不要な廃棄物がなく、酸化物の成膜が可能で、密着性が良好であり、低エネルギーで処理しうる、固体高分子電解質膜上に触媒電極を形成する方法を提供すること【解決手段】 マグネトロンスパッタリング装置内を不活性ガス雰囲気とし、白金族金属の電極を陰極11とし、固体高分子電解質膜の電極を陽極12とし、陰極11面に平行に磁場を形成し、この磁場と直交する方向に所定電圧を負荷することにより、陰極11から飛び出した白金族金属の粒子を陽極12である固体高分子電解質膜上に付着させる。

Claim (excerpt)：

固体高分子電解質膜上に触媒電極を形成する方法であって、マグネトロンスパッタリング装置内を不活性ガス雰囲気とし、白金族金属の電極を陰極とし、固体高分子電解質膜の電極を陽極とし、陰極面に平行に磁場を形成し、この磁場と直交する方向に所定電圧を印加することにより、陰極から飛び出した白金族金属の粒子を陽極である固体高分子電解質膜上に付着させることにより固体高分子電解質膜上に触媒電極を形成する方法。

IPC (3)：

C25B 11/08 ,  H01M 4/88 ,  H01M 8/10

FI (3)：

C25B 11/08 Z ,  H01M 4/88 K ,  H01M 8/10