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J-GLOBAL ID：200903043817563771

シリカメソ構造体薄膜、メソポーラスシリカ薄膜、シリカメソ構造体薄膜のパターニング方法及びメソポーラスシリカ薄膜のパターニング方法

Inventor： 宮田 浩克
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000189104
Publication number (International publication number)：2002012419
Application date： Jun. 23, 2000
Publication date： Jan. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板上の任意の位置に一軸配向性の細孔構造を有する連続性、均一性の高いパターニングされたシリカメソ構造体薄膜を提供する。【解決手段】 基板表面に耐酸性の金属のパターンを形成する工程と、該パターニングされた金属が形成された基板上にさらに高分子化合物薄膜を形成する工程と、該高分子化合物薄膜にラビング処理を施す工程と、該ラビング処理が施された基板をケイ素アルコキシドを含む酸性の界面活性剤水溶液中に保持し、該基板上にシリカメソ構造体の薄膜を作成する工程と、該基板の金属のパターン上に形成されたシリカメソ構造体を剥離する工程により作製された一軸配向性の細孔構造を有するシリカメソ構造体薄膜。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された高分子化合物薄膜上の任意の位置に配置されたシリカメソ構造体薄膜であって、該薄膜が所望の形状にパターニングされており、かつパターニングされた個々のシリカメソ構造体薄膜中の管状の細孔の配向方向が一軸方向に揃っていることを特徴とする一軸配向性の細孔構造を有するシリカメソ構造体薄膜。

IPC (4)：

C01B 33/12 ,  B01J 19/00 ,  B32B 9/00 ,  B01J 20/10

FI (4)：

C01B 33/12 C ,  B01J 19/00 K ,  B32B 9/00 A ,  B01J 20/10 A

F-Term (43)：

4F100AA20A ,  4F100AA20C ,  4F100AB24D ,  4F100AG00A ,  4F100AK01B ,  4F100AK49E ,  4F100AT00A ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10C ,  4F100DC21C ,  4F100EJ15 ,  4F100EJ26 ,  4F100GB90 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JM02D ,  4F100JM02E ,  4G066AA22B ,  4G066BA03 ,  4G066BA22 ,  4G066BA24 ,  4G066FA21 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB16 ,  4G072FF02 ,  4G072FF07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ14 ,  4G072JJ33 ,  4G072NN21 ,  4G072NN30 ,  4G072RR20 ,  4G072UU11 ,  4G075AA24 ,  4G075BC02 ,  4G075BC06 ,  4G075FB02 ,  4G075FB12 ,  4G075FC09