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J-GLOBAL ID：200903043830169926
メモリー素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993028748
Publication number (International publication number)：1994243673
Application date： Feb. 18, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 人工格子磁気抵抗効果膜を用いて高性能の磁性薄膜メモリ-を可能とする。【構成】 磁性膜部Mと情報記録用磁界発生用電流線部R,R'、及びNi-Fe-Co系の金属磁性薄膜層とCu等の金属非磁性薄膜層とを積層した構造からなる人工格子磁気抵抗膜より成る情報読みだし部Sから構成されることを特徴とするメモリ-素子。【効果】 室温で動作可能な高性能磁性薄膜メモリ-を可能とする。
Claim (excerpt)：
パタ-ニングされた磁性膜部Mと、Mとは絶縁されかつMの近傍に設けられた情報読みだしのための人工格子磁気抵抗効果膜より成る電流線部S、及びこれらと絶縁され電流を上記Rと同じ方向に及びこれと直交する方向に流し上記Mに磁界を印加して情報を記録するために設けられた2種類の電流線部R、R'より成り、かつ上記人工格子磁気抵抗効果膜部Sは厚さ5〜50Åの金属磁性層[1]と厚さ5〜50Åの金属非磁性層[2]を交互に積層した構造となっていることを特徴とするメモリ-素子。
Patent cited by the Patent：
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