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J-GLOBAL ID：200903043832558539

半導体超微粒子反応試剤

Inventor： 河関 孝志 ,  水間 浩一 ,  林 豊治
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997198094
Publication number (International publication number)：1998226779
Application date： Jul. 24, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体超微粒子表面を修飾することにより、重縮合反応や重付加反応に用いることが可能な半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 アミノ基を有するチオール化合物、水酸基を有するチオール化合物またはカルボキシル基を有するチオール化合物で修飾された半導体超微粒子;上記の半導体超微粒子を重縮合反応、重付加反応に用いることよって得られた半導体超微粒子架橋材料及びその成型体。【効果】 単に粒径が制御された半導体超微粒子ではなく、半導体超微粒子そのもの自体が反応性を有する半導体超微粒子反応試剤を提供できる。

Claim (excerpt)：

アミノ基を有するチオール化合物、水酸基を有するチオール化合物またはカルボキシル基を有するチオール化合物で修飾された半導体超微粒子。

IPC (5)：

C09K 3/00 ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  B01J 35/02 ,  G02F 1/01

FI (6)：

C09K 3/00 C ,  C09K 3/00 A ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  B01J 35/02 J ,  G02F 1/01 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 表面修飾金属硫化物超微粒子の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-250128   Applicant：日本メクトロン株式会社
• 超微粒子を有する分子及びその構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213646   Applicant：三井東圧化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 日本化学会講演予稿集, 19920911, vol.64/no.2, p940
• Electrode Processes 6, 1996, p315-321