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J-GLOBAL ID：200903043835684934

縦形電界効果半導体装置及びその製造方法

Inventor： 井上 洋典 ,  宮内 昭浩 ,  坂本 光造 ,  白石 正樹 ,  森 睦宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000154415
Publication number (International publication number)：2001332726
Application date： May. 22, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 電気特性の良好な大電力縦形電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 主表面が{110}面の半導体単結晶基板に形成され、電流流路に並列配置された複数のP型とN型の領域でなるドレイン側ドリフト領域を有する縦型電界効果トランジスタにおいて、壁面が主表面に垂直で垂直と水平の断面がいずれも矩形状としたゲート溝を、その水平断面の矩形の長手方向を<110>方向に平行にして複数箇配置する。或いは、断面がV字形状で壁面が垂直に交わり主表面に水平な断面を矩形状としたゲート溝を、水平断面の矩形の長手方向を<100>方向に平行として複数箇配置する。

Claim (excerpt)：

主表面が{110}結晶面を有する半導体基板、上記基板内の裏面側に設けられた第1導電型の共通ドレイン領域、上記基板内の表面側に設けられた第2導電型のチャンネル形成領域、上記チャンネル形成領域内に設けられた複数の第1導電型のソース領域、及び上記基板内の上記共通ドレイン領域と上記チャンネル形成領域との間に設けられ両領域を結合するドリフト領域を有し、上記主表面に上記ソース領域及び上記チャンネル形成領域を横切って上記ドリフト領域まで達し上記主表面に略垂直な壁面を有し上記主表面に平行な断面が矩形状のゲート溝を上記矩形の長手方向を<110>方向に平行に複数個配置し、上記各ゲート溝の<110>方向に平行な上記壁面における上記チャンネル形成領域の表面上にゲート絶縁膜とゲート電極を設けたことを特徴とする縦形電界効果半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 658 G