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J-GLOBAL ID：200903043842520513

半導体装置の製法

Inventor： 佐野 直樹 ,  原 昌輝 ,  関谷 光信 ,  鮫島 俊之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994191628
Publication number (International publication number)：1996055858
Application date： Aug. 15, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜、半導体の改質をはかって安定して目的とする半導体装置を得ることができるようする。【構成】 半導体装置の製法において、20°C〜400°C、分圧1Torr以上飽和蒸気圧以下の水(H2 O)の気体を含む雰囲気中で15秒以上20時間以下の加熱工程を経て、上記半導体または絶縁膜の少なくとも一方の改質を行う。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製法において、20°C〜400°C、分圧1Torr以上飽和蒸気圧以下の水の気体を含む雰囲気中で15秒以上20時間以下の加熱工程を経て、上記半導体または絶縁膜の少なくとも一方の改質を行うことを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (4)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜状半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-176193   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-133673
  
• 太陽電池モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243391   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 特開昭54-121675