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J-GLOBAL ID：200903043849574635

半導体メモリ装置の製造方法及び半導体メモリ装置並びにそれを用いた応用システム

Inventor： 阿部 良夫 ,  福田 琢也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051535
Publication number (International publication number)：1995263572
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体メモリ装置のコンデンサを微細化して、小型かつ大容量の半導体メモリ装置を提供することを目的とする。【構成】Tiをコンデンサの下部電極として金属Ti薄膜を形成し、その後、プラズマ酸化により、ルチル構造を有するTiO2絶縁膜を形成する。【効果】ルチル構造を有するTiO2 絶縁膜は、高誘電率を有し、かつ熱力学的及び化学的に安定なので、コンデンサを微細化できかつ歩留まりも向上する。

Claim (excerpt)：

半導体メモリ装置の製造方法であって、金属チタンを含む電極を、半導体基板に形成する工程と、この電極をプラズマ酸化することにより、電極の表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の表面に他の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体メモリ装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭57-030358
  
• 特開平1-231367
  
• 特開平4-221848
  
• 特開昭55-102242
  
• 特開平2-191330