N型熱電半導体

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996228989
Publication number (International publication number)：1998074983
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】熱電特性が向上した熱電半導体焼結素子を製造すること。【解決手段】熱電冷却体としての主成分系半導体と、前記主成分系半導体のキャリア濃度調整用のドーパントとを有するN型熱電半導体において、前記ドーパントとしてハロゲン化銀を使用することを特徴とするN型熱電半導体としたこと。

Claim (excerpt)：

熱電冷却体としての主成分系半導体と、前記主成分系半導体のキャリア濃度調整用のドーパントとを有するN型熱電半導体において、前記ドーパントとしてハロゲン化銀を使用することを特徴とするN型熱電半導体。

IPC (2)：

H01L 35/16 , H01L 35/34

FI (2)：

H01L 35/16 , H01L 35/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-041780
特開昭64-077184
特公昭43-015748

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