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J-GLOBAL ID：200903043863999282
半導体発光装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004518
Publication number (International publication number)：1995211982
Application date： Jan. 20, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 不純物の拡散工程を行わずに、P型InGaAsP層と非アロイ型金属電極との間にオーミックコンタクトを形成し、信頼性が高く、かつ歩留りが高い半導体発光装置を提供する。【構成】 バンドギャップ波長が1.5〜1.55μm組成で不純物濃度が4×1018cm-3から6×1018cm-3のP型InGaAsPコンタクト層33の表面にSi3 N4 膜34を形成した後、その一部をエッチングしコンタクト窓35を形成する。次に、非アロイ型金属電極としてTi層36とPt層37とAu層38を蒸着により順次積層し、水素雰囲気中にて熱処理を行いオーミックコンタクトを形成する。これにより、P型不純物であるZnの拡散によるP型InGaAsPコンタクト層33への格子欠陥の導入と活性層を含むダブルへテロ層32内のZnの移動によるPN接合の位置変化を防ぐことができ、素子の信頼性と製造歩留まりが向上した。
Claim (excerpt)：
P型InGaAsP層の表面に非アロイ型金属電極を備えた半導体発光装置であって、前記P型InGaAsP層のバンドギャップ波長を1.5μmから1.55μmの組成にするとともに、前記P型InGaAsP層の不純物濃度を4×1018cm-3から6×1018cm-3にしたことを特徴とする半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
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