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J-GLOBAL ID：200903043896917303
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995031076
Publication number (International publication number)：1995312401
Application date： Nov. 10, 1989
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】電子機器への実装に際して前処理を要せず、しかも半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に優れ、しかも半田実装後の耐湿信頼性に富んだ半導体装置を提供する。【構成】下記の特性(a)〜(d)を備えたエポキシ樹脂系組成物硬化体により半導体素子がを封止された半導体装置である。(a)硬化体の曲げ強度が、260°Cで0.6kg/mm<SP>2 </SP>以上。(b)硬化体の曲げ弾性率が、260°Cで65kg/mm<SP>2 </SP>以下。(c)硬化体の飽和吸水率が、85°C/85%RH雰囲気下で0.4重量%以下。(d)硬化体の30°Cにおける拡散係数(Df<SB>30</SB>)が、Df<SB>30</SB>=6.0×10<SP></SP><SP>-7</SP>mm<SP>2 </SP>/sec以下で、85°Cにおける拡散係数(Df<SB>85</SB>)が、Df<SB>85</SB>=5.0×10<SP>-6</SP>mm<SP>2 </SP>/sec以下であり、かつ上記拡散係数Df<SB>30</SB>およびDf<SB>85</SB>の比が下記の不等式を満足させるエポキシ樹脂系組成物硬化体。Df<SB>85</SB>/Df<SB>30</SB><10.0
Claim (excerpt)：
下記の特性(a)〜(d)を備えたエポキシ樹脂系組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置。(a)硬化体の曲げ強度が、260°Cで0.6kg/mm<SP>2 </SP>以上。(b)硬化体の曲げ弾性率が、260°Cで65kg/mm<SP>2 </SP>以下。(c)硬化体の飽和吸水率が、85°C/85%RH雰囲気下で0.4重量%以下。(d)硬化体の30°Cにおける拡散係数(Df<SB>30</SB>)が、Df<SB>30</SB>=6.0×10<SP></SP><SP>-7</SP>mm<SP>2 </SP>/sec以下で、85°Cにおける拡散係数(Df<SB>85</SB>)が、Df<SB>85</SB>=5.0×10<SP>-6</SP>mm<SP>2 </SP>/sec以下であり、かつ上記拡散係数Df<SB>30</SB>およびDf<SB>85</SB>の比が下記の不等式を満足させるエポキシ樹脂系組成物硬化体。Df<SB>85</SB>/Df<SB>30</SB><10.0
IPC (3)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/18 NKK
Cited by examiner (6)
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