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J-GLOBAL ID：200903043900028705

放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線撮像システム

Inventor： 岡田 聡
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000367256
Publication number (International publication number)：2002168955
Application date： Dec. 01, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光電変換素子の表面側と裏面側に波長変換体を有する放射線検出装置において、光電変換素子の裏面の波長変換体から入射してくる光の透過率を向上し、かつ解像力を低下させない放射線検出装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 120は基板、121は蛍光体層であり、基板120に設けた溝部に埋め込まれている。100はMIS型フォトセンサーとTFTからなるセンサー素子部で、160μmピッチの2次元に配列されている。111は窒化膜等からなる無機の保護層、112は、ポリイミド等からなる有機の保護層である。113はポリイミド等からなる絶縁保護層であり、画素ピッチの半分の80μm以下、可能ならば20μm以下とするのが望ましい。130は蛍光体層、131は蛍光体層130を保護するための有機高分子膜等よりなる保護層、132はAl等からなる反射層である。

Claim (excerpt)：

光電変換素子を形成した透明基板の表面側に第1の波長変換体と、前記透明基板の裏面側に第2の波長変換体とを有する放射線検出装置において、前記光電変換素子の基板側電極が、透明導電膜で形成されることを特徴とする放射線検出装置。

FI (3)：

G01T 1/20 B ,  G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 G

F-Term (7)：

2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ37