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J-GLOBAL ID：200903043900069037

半導体装置

Inventor： 飯島 賢二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999303630
Publication number (International publication number)：2001127260
Application date： Oct. 26, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスにおいて、ヒステリシスの角形比が10kV以下以上のスイッチング特性に優れた強誘電体が必要とされている。【解決手段】 組成式PbZrxTi1-xO3において、xが0.75より大きく0.95より小さい範囲にある化学組成を有する強誘電体の自発分極の方向もしくはその大きさ、あるいはその両者を変化させる手段と検出する手段とを有し、強誘電体の自発分極の方向、もしくはその大きさあるいはその両者の組合せにより情報の記録と読み出しを行う。

Claim (excerpt)：

半導体上に直接あるいは間接的に形成された強誘電体と強誘電体上に形成された電極と、強誘電体の自発分極の方向もしくはその大きさ、あるいはその両者を変化させる手段と検出する手段とをそれぞれ少なくとも有し、強誘電体の自発分極の方向、もしくはその大きさあるいはその両者の組合せにより情報の記録と読み出しを行うことを特徴とする半導体装置で、強誘電体として組成式PbZrxTi1-xO3のxが0.75より大きく0.95より小さい範囲にある化学組成を有する強誘電体を用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/00 ,  H01L 41/187

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 37/00 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 D

F-Term (7)：

5F001AA17 ,  5F001AF05 ,  5F083FR00 ,  5F083JA01 ,  5F083JA38 ,  5F101BA62 ,  5F101BF01