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J-GLOBAL ID：200903043903058958

半導体加速度センサ

Inventor： 平尾 学
Applicant, Patent owner： 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992260223
Publication number (International publication number)：1994109756
Application date： Sep. 29, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電源電圧に重畳した外来ノイズがホイートストーンブリッジ回路の出力端子の出力されるのを防止する。【構成】 1枚のSi基板にピエゾ抵抗素子を用いたホイートストーンブリッジ回路を2組備え、それぞれのホイートストーンブリッジ回路を外来ノイズに対しては同極性に、Si基板の歪に対しては逆極性の検出電圧を出力する様に構成し、両出力を差動増幅回路に接続する。

Claim (excerpt)：

ピエゾ抵抗素子を用いた4つの抵抗でホイートストーンブリッジ回路を構成し、このホイートストーンブリッジ回路を増幅器に接続してなる半導体加速度センサであって、前記ホイートストーンブリッジ回路は、それぞれ逆極性の検出電圧を出力する2組のブリッジ回路からなる事を特徴とする半導体加速度センサ。