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J-GLOBAL ID：200903043913530272

プラズマCVD用のサセプタ

Inventor： 堀尾 泰臣 ,  箕浦 誠司
Applicant, Patent owner： イビデン株式会社
Agent (1)： 広江 武典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341099
Publication number (International publication number)：1993175317
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 洗浄処理による微細な黒鉛粉末の発生を防止し、さらに加熱状態の炉内での絶縁膜形成時においても寸法安定性に優れ、均質な製品を収率よく製造することができるプラズマCVD用のサセプタを提供する。【構成】 このサセプタ1は、黒鉛材2の一部にβ型炭化珪素3に転化した層が形成されている。

Claim (excerpt)：

ウエハの表面に窒化シリコン等の絶縁膜を形成するのに使用されるプラズマCVD用のサセプタであって、黒鉛材の一部又は全部がβ型炭化珪素に転化されて成ることを特徴とするプラズマCVD用のサセプタ。

IPC (4)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-297467
  
• 特開昭56-037298