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J-GLOBAL ID：200903043922599773
磁気抵抗素子と磁気ヘッド
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998172062
Publication number (International publication number)：1999354859
Application date： Jun. 05, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 強磁性トンネル接合による磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子の実用化。【解決手段】 第1及び第2強磁性層11、14と、強磁性層間に挟まれた絶縁層12と、第2強磁性層と絶縁層との間に挿入した非磁性金属薄膜13とからなる強磁性トンネル接合膜を基板10上に形成した磁気変換素子。【効果】 絶縁層/強磁性層のトンネル接合界面におけるマグノンの発生を解消又は大幅に制限して、バイアス電圧の印加による磁気抵抗比の減少を抑制する。より一層の高記録密度化に適した磁気ヘッドが得られる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成した第1及び第2強磁性層と、前記強磁性層間に挟まれた絶縁層とからなる強磁性トンネル接合膜を有する磁気抵抗素子であって、強磁性トンネル接合膜が、少なくとも一方の前記強磁性層と前記絶縁層との間に非磁性金属薄膜を有することを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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