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J-GLOBAL ID：200903043923858047

窒化チタン薄膜の作成方法及び薄膜デバイス

Inventor： 金 瑞元 ,  神馬 仁志 ,  関口 敦
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995227324
Publication number (International publication number)：1997055360
Application date： Aug. 11, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 経時的な比抵抗の増大を防止するパシベーションを成膜後に別途行うことを不要にするとともに、比抵抗の小さい窒化チタン薄膜を高いステップカバレッジ特性で得ることができるようにする。【解決手段】 チタンを含む有機金属化合物ガスと、作成される窒化チタン薄膜の比抵抗を減少させる添加ガスとを使用して、化学的気相成長法により窒化チタン薄膜を作成するに際し、有機金属化合物ガスに対する添加ガスの流量比を小さい第一の流量比とするか又は低い成膜温度とする非パシベーション性の第一の成膜条件で最初に成膜を行い、その後第一の流量比より大きい第二の流量比に添加ガスを増加させるか又は成膜温度を上昇させるパシベーション性の第二の成膜条件で成膜を行う。基板20上に作成された薄膜は、アモルファス状のバッファ層としての第一層51の上に、結晶化が進んだパシベーション改質層としての第二層52が積層された構造となる。

Claim (excerpt)：

チタンを含む有機金属化合物ガスを使用して気相成長法により窒化チタン薄膜を作成する窒化チタン薄膜の作成方法において、成膜条件を最初に非パシベーション性の条件とし、最後にパシベーション性の成膜条件として成膜を行うことを特徴とする窒化チタン薄膜の作成方法。

IPC (2)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (2)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R