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J-GLOBAL ID：200903043928087782

強磁性トンネル接合素子、再生ヘッド、および記録再生システム

Inventor： 林 一彦 ,  大橋 啓之 ,  石綿 延行 ,  中田 正文 ,  石 勉 ,  本庄 弘明 ,  石原 邦彦 ,  藤方 潤一 ,  松寺 久雄 ,  柘植 久尚 ,  上條 敦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338881
Publication number (International publication number)：2000163716
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 強磁性トンネルヘッドにおいて、再生出力面からみた歩留まりを向上させる強磁性トンネル接合ヘッドを提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子としてフリー層/バリア層/固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、トンネル接合素子を構成する層のうち最上層と最下層とでパターン形状が異なり、そのパターンの面積が最上層の方が小さいようにする。トンネル接合膜部をパターン化する際の素子加工工程を、トンネル接合膜を構成する各層のうち最下部までは行わないことによる。

Claim (excerpt)：

少なくともフリー層、バリア層、固定層の各層が積層されて形成された積層体を基本構成とするトンネル接合膜を用いたシールド型強磁性トンネル接合素子において、当該トンネル接合膜を構成する層のうち最上層と最下層とでパターン形状が異なる事を特徴とする強磁性トンネル接合素子。

F-Term (6)：

5D034BA03 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-319255   Applicant：三洋電機株式会社