半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996255644
Publication number (International publication number)：1998106951
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】表面凹凸の無い高品質結晶性ケイ素薄膜、および高性能で且つ信頼性の高い薄膜半導体装置を実現する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜であって、該ケイ素膜は、非晶質ケイ素膜を強光照射により結晶化させたものからなり、その表面が酸化工程により削られ、薄膜化されたものであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性を有するケイ素膜であって、該ケイ素膜は、非晶質ケイ素膜を強光照射により結晶化させてなり、その表面が酸化工程により削られ、平坦化されていることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-153291 Applicant：株式会社東芝
多結晶半導体膜の製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-311441 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331626 Applicant：シャープ株式会社

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