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J-GLOBAL ID：200903043931843385

半導体発光素子及び半導体発光装置

Inventor： 幡 俊雄 ,  山本 健作 ,  筆田 麻祐子 ,  辰巳 正毅
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001278983
Publication number (International publication number)：2003086843
Application date： Sep. 14, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 従来発光素子では、電極が形成された上面と基板裏面で発生光の多重反射が生じ、発光素子から外部へ光がなかなか放出されず、さらにP型電極またはN型電極で吸収され光出力が低減されるという問題が生じる。【解決手段】 透光性基板上に窒化物系積層体を形成し、その積層体にP型パッド電極、N型パッド電極及びP型電極が所望の反射率を有し、前記透光性基板とその上に積層された窒化物系積層体の厚さが60μmから460μmから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に、n型半導体層、発光層、p型半導体層、p型電極がこの順に形成され、基板側をマウントする半導体発光素子において、p型電極の反射率が55〜100%であることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 N

F-Term (7)：

5F041AA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18