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J-GLOBAL ID：200903043933084708

結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置

Inventor： 須田 昇 ,  磯上 峯男
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016439
Publication number (International publication number)：1998212199
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低融点で製造することができ、しかも窒化ガリウムのエピタキシャル成長などの気相成長を好適に行い得る優れた結晶成長用基板、及びそれを用いた発光装置を提供すること。【解決手段】 本発明の結晶成長用基板は、窒化ガリウムを主成分とする単結晶を気相成長させる基体が、融点2000°C以下のスピネル型単結晶を主体とすることを特徴とする。また、本発明の発光装置は、融点が2000°C以下のスピネル型単結晶を主体とする基板1上に、レーザ素子を成す窒化ガリウムを主成分とする単結晶層を積層して成る。

Claim (excerpt)：

融点が2000°C以下のスピネル型単結晶を主体として成り、窒化ガリウムを主成分とする単結晶を気相成長させるための結晶成長用基板。

IPC (7)：

C30B 29/22 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/26 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (9)：

C30B 29/22 A ,  C30B 29/22 F ,  C30B 29/22 G ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/26 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18