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J-GLOBAL ID：200903043938951191

半導体基板

Inventor： 井村 誠 ,  日下部 兼治
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 大岩 増雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991301440
Publication number (International publication number)：1993144824
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 均一でかつ所定の厚みを有するDZ層とゲッタリング効果を有するIG層とを備えた半導体基板を実現することである。【構成】 この発明による半導体基板は、含有酸素濃度の低いシリコンウェーハと含有酸素濃度の高いシリコンウェーハとを接合し、所定の厚さに研磨して構成される。低酸素濃度のウェーハから構成された領域は素子形成領域として用いられ、高酸素濃度のウェーハから形成された領域は金属不純物や欠陥のゲッタリング効果を奏する。低酸素濃度のDZ層としてはMCZ法により形成されたウェーハやCZ法により製造されたウェーハを高温熱処理して酸素を外方拡散させたウェーハなどが用いられる。他の例ではDZ層とIG層の間にダメージ層や多結晶あるいはアモルファスシリコン層などが形成される。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成される主表面と、この主表面に対向する接合面とを有し、その膜厚方向に沿って均一な第1の含有酸素濃度を有する第1単結晶シリコン層と、前記第1単結晶シリコン層の前記接合面に接合され、その膜厚方向に沿って均一で、かつ前記第1の含有酸素濃度より高い第2の含有酸素濃度を有する第2単結晶シリコン層とを備えた、半導体基板。