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J-GLOBAL ID：200903043939235899

昇圧回路及び昇圧回路を備えた不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 丹沢 徹 ,  田中 智晴 ,  中村 寛 ,  田中 義幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993354151
Publication number (International publication number)：1995111095
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 出力電位が低い間の電力効率を上げることができ、昇圧電位立上がり時間を短縮することのできる昇圧回路を提供すること。【構成】 入力電位を所定の電位まで昇圧する昇圧回路において、キャパシタ及びスイッチング素子からなる複数個の昇圧セル10と、これらの昇圧セル10の接続状態を切換える接続切換え回路30とを設け、接続切換え回路30により、昇圧セル10を1個又は複数個直列に接続して構成する昇圧セル群20を出力に対して並列に接続し、かつ昇圧セル群20内の昇圧セル10の数と昇圧セル群20の数を可変することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

入力電位を昇圧して出力する複数個の昇圧セルと、これらの昇圧セルの接続状態を切換える接続切換え回路とを具備し、前記接続切換え回路は、昇圧セルを1個又は複数個直列に接続して構成する昇圧セル群を出力に対して並列に接続し、かつ昇圧セル群内の昇圧セルの数と昇圧セル群の数を可変するものであることを特徴とする昇圧回路。

IPC (3)：

G11C 16/06 ,  G05F 1/00 ,  H02M 3/07