Pat

J-GLOBAL ID：200903043962041805

整流素子およびその製造方法

Inventor： 松本 聡 ,  谷内 利明
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999108877
Publication number (International publication number)：2000299478
Application date： Apr. 16, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来の整流素子はpn接合を有しているためオン状態でn型半導体中に少数キャリアが存在し、ターンオフ時間を十分低減できない。【解決手段】 単結晶シリコン半導体基板1の主面側に絶縁膜2としてシリコン酸化膜を有し、絶縁膜2上にn型の単結晶シリコン半導体層3を有する積層構造の半導体基板を用いて、n型の単結晶シリコン半導体層3に溝を有し、前記溝内部に絶縁膜4としてシリコン酸化膜を有し、カソード領域5としてn型の高濃度領域を有し、アノード電極6としてn型の単結晶シリコン半導体層3の溝を介してカソード領域5に対向する表面及び絶縁膜4上にチタンが付され、積層構造の基板表面の所望の領域と溝内部に絶縁膜7が付され、カソード電極8がカソード領域5に付され、さらにアノード電極6上に電極9が付された整流素子。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン半導体基板(1)の主面側に絶縁膜(2)を有し、絶縁膜(2)上にn型の単結晶シリコン半導体層(3)を有する積層構造の基板の前記n型の単結晶シリコン半導体層(3)に溝が形成され、前記溝の内部に絶縁膜(4)を有し、n型の単結晶シリコン半導体層(3)の所望の領域に溝の側面に接するカソード領域(5)としての高濃度のn型領域を有し、カソード電極(8)としてカソード領域(5)にオーミック接合となる第1の金属を有し、かつn型の単結晶シリコン半導体層(3)の前記の溝を介してカソード領域(5)と向かい合う側の表面及び前記溝の内部の絶縁膜(4)上にアノード電極(6)となるショットキー障壁を有する第2の金属を有することを特徴とする整流素子。

F-Term (15)：

4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD07 ,  4M104DD89 ,  4M104DD91 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20