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J-GLOBAL ID：200903043969779184

アルミナ膜の成膜方法

Inventor： 松浦 克好 ,  川浦 廣
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社シー・ヴィ・リサーチ
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002255723
Publication number (International publication number)：2004095900
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】低温処理による成膜および安全な成膜を可能にするアルミナ膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】本発明によるアルミナ膜の成膜方法は、プラズマCVDを行うための反応炉に成膜対象物を導入し、所定の温度に加熱する昇温工程と、低出力のプラズマ電力条件の下に、アルミニウム・アルコキシドより成るアルミナ原料と酸素とを前記反応炉に導入する堆積工程と、高出力のプラズマ電力条件の下に、前記反応炉に前記アルミナ原料を導入することなしに、酸素を導入する酸化工程より成る。前記堆積工程および前記酸化工程を複数回繰り返すことによって、所定の厚さのアルミナ膜が前記成膜対象物に形成される。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

プラズマCVDを行うための反応炉に成膜対象物を導入し、所定の温度に加熱する昇温工程と、 低出力のプラズマ電力条件の下に、アルミニウム・アルコキシドより成るアルミナ原料と酸素とを前記反応炉に導入する堆積工程と、 高出力のプラズマ電力条件の下に、前記反応炉に前記アルミナ原料を導入することなしに、酸素を導入する酸化工程 より成り、前記堆積工程および前記酸化工程を複数回繰り返すことによって、所定の厚さのアルミナ膜が前記成膜対象物に形成されることを特徴とするアルミナ膜の成膜方法。

IPC (2)：

H01L21/316 ,  C23C16/40

FI (2)：

H01L21/316 X ,  C23C16/40

F-Term (17)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01