半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997257085
Publication number (International publication number)：1999097646
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】消費電力が低く、動作速度が速い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板14と、半導体基板14の第1の領域に、半導体基板14表面から離間して形成された第2導電型の埋め込み半導体層38bと、半導体基板14の第1の領域の半導体基板14表面と埋め込み半導体層38bとの間の領域の周縁部に形成され、埋め込み半導体層38bに接続する第2導電型半導体領域38aと、埋め込み半導体層38bと第2導電型半導体領域38aとにより囲まれた半導体基板14より成る第1導電型半導体領域14aとを有している。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の第1の領域に、前記半導体基板表面から離間して形成された第2導電型の埋め込み半導体層と、前記半導体基板の前記第1の領域の前記半導体基板表面と前記埋め込み半導体層との間の領域の周縁部に形成され、前記埋め込み半導体層に接続する第2導電型半導体領域と、前記埋め込み半導体層と前記第2導電型半導体領域とにより囲まれた前記半導体基板より成る第1導電型半導体領域とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2)：

H01L 27/10 681 F , H01L 27/08 321 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体素子の三重ウェル形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-348086 Applicant：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-287487 Applicant：三菱電機株式会社
特開平2-077153

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