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J-GLOBAL ID：200903044010882594

半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法

Inventor： 山地 泰弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041425
Publication number (International publication number)：1997237806
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置を実装基板にフェイスダウン接続する際、耐熱疲労性等を確保するため、半導体チップと実装基板との間の空隙に樹脂を充填するが、チップごとに充填を行うので、コストがかかっていた。【解決手段】 半導体チップ5の表面にリフロー時に溶融可能な樹脂3が設けられ、接続用電極4の先端は樹脂3と同一面に位置している。半導体チップ5を実装基板6に実装し、リフローすると、樹脂3が溶融し、半導体チップ5は実装基板に固着される。したがって、従来の樹脂充填工程は不要になり、ウェハごとに保護膜の形成を行うのでコストも低下する。

Claim (excerpt)：

半導体チップ上に設けられたバンプ電極と、前記半導体チップの表面を被覆するとともに、前記バンプ電極の上面を露出させ、半導体チップの実装時に溶融され、半導体チップを実装基板に固着するとともに封止する保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (3)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平1-173733
  
• 特開平3-012942
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-153650   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平2-054945
  
• 特開平4-075381
  
• 特開平2-135763