Pat

J-GLOBAL ID：200903044021661255

半導体素子

Inventor： 小林 康之 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000255251
Publication number (International publication number)：2002075873
Application date： Aug. 25, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体におけるバッファ層上に成長したGaNエピタキシャル成長層には、108 〜1010オーダーの転位が存在する。【解決手段】 サファイア基板1上に400°CでAlNバッファ層2を堆積し、次に1050°Cの基板温度でGaNエピタキシャル成長層3の成長を行う。次に基板温度500°Cで数分子層の厚さのBN層4を堆積させる。BN層4の堆積後、再び基板温度を1050°Cまで昇温し、GaNエピタキシャル成長層5の成長を行う。GaNエピタキシャル成長層3中に存在した転位は、GaNエピタキシャル成長層5中に伝搬しにくくなる。これは、数分子層の厚さのBN層4が転位を横方向に折り曲げる、あるいは転位の核を吸着することにより転位をGaNエピタキシャル成長層5中に伝搬させない作用を有することによるものである。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上あるいは6H-SiC基板上に堆積された第一の層Al1-X-Y GaX InY N(0≦X+Y,Y,X≦1)の上に、BN層を堆積させ、その上に第二の層Al1-X-Y GaX InY N(0≦X+Y,Y,X≦1)が堆積されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (19)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA01