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J-GLOBAL ID：200903044028616972

プラズマ処理装置

Inventor： 今橋 一成 ,  石井 信雄 ,  輿水 地塩
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992135881
Publication number (International publication number)：1993304118
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラズマの発光スペクトル強度に基づいてプラズマ状態を一定に制御し、あるいは最適なプラズマ状態に設定すること。【構成】 電子サイクロトロン共鳴方式のエッチング装置において、プラズマ発生室内10内のプラズマ発光は、検出窓60,レンズ62を介して第1,第2の分光器64,66に入力する。この発光スペクトル強度として、エッチングの進行状況に依存しないガス例えばArの異なる2つの波長における発光強度を測定する。この測定された2つの発光スペクトル強度の比率を一定にすると、プラズマ発生室10内の電子の平均温度がほぼ一定となり、プラズマの状態がほぼ一定に保たれる。2つの発光スペクトル強度の比率が変化した場合、コイル44,54に通電すべきコイル電流の値を変化させて、2つの発光スペクトル強度の比率がほぼ一定になるように制御する。

Claim (excerpt)：

処理ガスを導入し、プラズマを生成して被処理体を処理するプラズマ装置において、前記プラズマ中の複数の異なる波長の発光スペクトル強度をそれぞれ検出する検出手段と、この複数の発光スペクトル強度に基づいて、前記プラズマを生成するパラメータ群の少なくとも一つを可変制御してプラズマ状態を制御する制御手段と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-077940
  
• 特開昭64-047027
  
• 特開昭63-289934
  
• 特開昭63-177525