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J-GLOBAL ID：200903044034332404

熱電素子及び熱電素子の電極形成方法

Inventor： 野城 清
Applicant, Patent owner： ホソカワミクロン株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265519
Publication number (International publication number)：1999112037
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低接触抵抗の電極をFeSi2 半導体上に形成することで実効的な熱電素子の比抵抗を低くし、熱電素子としての性能の向上を図る。【解決手段】 P型FeSi2 半導体1とN型FeSi2 半導体2の一端同士1a、2aを直接または導電体を介して接続してなる熱電素子において、前記P型FeSi2 半導体1及び前記N型FeSi2 半導体2の各他端1b、2b側に、Fe、Ni、Co、または、Mn、Co等のドーピング材を含むFeを成分とする電極3を直接形成する。

Claim (excerpt)：

FeSi2 半導体に、Fe、Ni、Co、または、Mn、Co等のドーピング材を含むFeを成分とする電極が直接形成されてある熱電素子。

IPC (3)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (3)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34