Pat
J-GLOBAL ID：200903044045679228
3極プラズマCVD装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992019194
Publication number (International publication number)：1993217907
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 第3電極への成膜を抑制して第3電極から基板へ向かうパーティクルを低減させることができ、それによって、従来に比べ良質の成膜を行える3極プラズマCVD装置を提供する。【構成】 高周波電極2と接地電極3の間に配置したラジカル制御用の第3電極4aを、その周囲に配置した誘導コイル41に誘導加熱用高周波電源42から電圧印加することで誘導加熱し、該電極への成膜を抑制する3極プラズマCVD装置。
Claim (excerpt)：
高周波電極と接地電極の間に配置したラジカル制御用の第3電極を加熱する手段を設けたことを特徴とする3極プラズマCVD装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
