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J-GLOBAL ID：200903044070252409

半導体装置の製造方法

Inventor： 竹内 孝行
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中野 佳直 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992050191
Publication number (International publication number)：1993251381
Application date： Mar. 09, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 熱処理を行わずコンタクト上部に滑らかなテーパを形成する。【構成】 素子分離シリコン酸化膜1と導電層2を有する半導体基板上に、シリコン酸化膜3を堆積し、コンタクトレジストパターン4を形成した後に等方性エッチングを行い、所望のテーパ5を形成する(図1a)。次に、コンタクト部6に残ったシリコン酸化膜の90%を異方性エッチングにより除去する(図1b)。更に、レジストの除去後、コンタクト部に残ったシリコン酸化膜を異方性エッチングにより除去する。この時、シリコン酸化膜表面にはダメージ層7が形成される(図1c)。これをふっ化水素水溶液に浸漬する(図1d)。コンタクト6はダメージ層7でのエッチング速度の違いから、その径が大きくならず、角9が取れて滑らかなテーパ8に形成される。

Claim (excerpt)：

素子分離シリコン酸化膜と導電層を有する半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にコンタクトレジストパターンを形成する工程と、前記シリコン酸化膜を等方性エッチングする工程と、前記シリコン酸化膜を異方性エッチングする工程と、前記コンタクトレジストパターンを除去する工程と、前記コンタクトレジストパターンを除去した後に、異方性エッチングにより導電層に達するコンタクトを前記シリコン酸化膜に開口する工程と、前記工程の終了後にふっ化水素水溶液に浸漬する工程と、次いで前記コンタクトにアルミニウム配線を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。